Producent Infineon (IRF) Typ tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 75V Prąd drenu 200A Moc 340W Obudowa TO247AC Napięcie bramka-źródło ą20V Rezystancja w stanie przewodzenia 3.3m? Rezystancja termiczna złącze-obudowa 0.44K/W Montaż THT Ładunek bramki 160nC Seria HEXFETŽ